高(gao)精(jīng)度固晶機(jī)GD212S-精(jīng)密封裝(zhuang)設(shè)備(bei)-GKG凱格精(jīng)機(jī)

GD212S側面.png
GD212S側面
  • GD212S側面.png
    GD212S側面
精(jīng)密封裝(zhuang)設(shè)備(bei)
GD212S
産(chan)品(pin)特點

1、采用(yong)兩段式(shi)接力(li)固晶單(dan)擺臂180°旋轉吸(xi)取+龍們(men)焊頭貼裝(zhuang);

2、采用(yong)片式(shi)點膠+固晶方(fang)式(shi)的(de)高(gao)精(jīng)度貼裝(zhuang)工(gong)藝;

3、配(pei)置12寸自動(dòng)擴膜(選配(pei)10寸/8寸/6寸)功能(néng)能(néng)力(li);

4、實現(xian)貼裝(zhuang)精(jīng)度精(jīng)準模式(shi)±10um&±1°,标準模式(shi)±20um&±3°的(de)能(néng)力(li)體(ti)現(xian);

5、适配(pei)多(duo)種實用(yong)性功能(néng),如:焊頭力(li)控、掃碼功能(néng)、Mapping找晶等(deng)。


産(chan)品(pin)應用(yong)

針對半導(dao)體(ti)領(ling)域(yu)、集(ji)成(cheng)電(dian)路、消費電(dian)子(zi)、通(tong)信(xin)係(xi)統、封裝(zhuang)器(qi)件應用(yong)等(deng)領(ling)域(yu)而研髮(fa)的(de)固晶設(shè)備(bei)。

适配(pei)産(chan)品(pin):半導(dao)體(ti)領(ling)域(yu)、QFN、DFN等(deng)多(duo)種晶粒/芯片類的(de)産(chan)品(pin)固晶。


産(chan)品(pin)參數(shu)
GD212S 高(gao)精(jīng)密固晶機(jī)
固晶周期≥450ms  精(jīng)準模式(shi):UPH3~8K/h
           标準模式(shi):UPH10~15K/h
(實際(ji)産(chan)能(néng)取決于(yu)芯片與基闆尺寸及(ji)製(zhi)程(cheng)工(gong)藝要求)
固晶位置精(jīng)度精(jīng)準模式(shi):±10um
标準模式(shi):±20um
芯片角度精(jīng)度±1°
芯片尺寸精(jīng)準模式(shi):0.2*0.2-5*5mm
标準模式(shi):0.2*0.2-9*9mm
适用(yong)支架尺寸L:120-300mm
W:50-120mm
設(shè)備(bei)外型尺寸(L*W*H)1277(正面長(zhang))*1838側面縱深)*2150(高(gao)度)mm


我(wo)已閱讀數(shu)據隐私條款,并願意接收到(dao)來自GKG的(de)産(chan)品(pin)信(xin)息咊(he)市(shi)場(chang)動(dòng)态