

1、采用(yong)兩段式(shi)接力(li)固晶單(dan)擺臂180°旋轉吸(xi)取+龍們(men)焊頭貼裝(zhuang);
2、采用(yong)片式(shi)點膠+固晶方(fang)式(shi)的(de)高(gao)精(jīng)度貼裝(zhuang)工(gong)藝;
3、配(pei)置12寸自動(dòng)擴膜(選配(pei)10寸/8寸/6寸)功能(néng)能(néng)力(li);
4、實現(xian)貼裝(zhuang)精(jīng)度精(jīng)準模式(shi)±10um&±1°,标準模式(shi)±20um&±3°的(de)能(néng)力(li)體(ti)現(xian);
5、适配(pei)多(duo)種實用(yong)性功能(néng),如:焊頭力(li)控、掃碼功能(néng)、Mapping找晶等(deng)。
針對半導(dao)體(ti)領(ling)域(yu)、集(ji)成(cheng)電(dian)路、消費電(dian)子(zi)、通(tong)信(xin)係(xi)統、封裝(zhuang)器(qi)件應用(yong)等(deng)領(ling)域(yu)而研髮(fa)的(de)固晶設(shè)備(bei)。
适配(pei)産(chan)品(pin):半導(dao)體(ti)領(ling)域(yu)、QFN、DFN等(deng)多(duo)種晶粒/芯片類的(de)産(chan)品(pin)固晶。
| GD212S 高(gao)精(jīng)密固晶機(jī) | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms 精(jīng)準模式(shi):UPH3~8K/h 标準模式(shi):UPH10~15K/h (實際(ji)産(chan)能(néng)取決于(yu)芯片與基闆尺寸及(ji)製(zhi)程(cheng)工(gong)藝要求) | ||||||||
| 固晶位置精(jīng)度 | 精(jīng)準模式(shi):±10um 标準模式(shi):±20um | ||||||||
| 芯片角度精(jīng)度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 精(jīng)準模式(shi):0.2*0.2-5*5mm 标準模式(shi):0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
| 适用(yong)支架尺寸 | L:120-300mm W:50-120mm | ||||||||
| 設(shè)備(bei)外型尺寸(L*W*H) | 1277(正面長(zhang))*1838側面縱深)*2150(高(gao)度)mm | ||||||||
